El Patriot Burst Elite 480GB (modelo PBE480GS25SSDR) es una unidad interna de estado sólido de 2.5 pulgadas diseñada como una opción económica y altamente confiable para eliminar cuellos de botella en computadoras de escritorio y notebooks. Operando bajo la interfaz SATA III, alcanza velocidades de lectura secuencial de hasta 450 MB/s, ofreciendo arranques del sistema operativo en pocos segundos y acelerando drásticamente los tiempos de carga en aplicaciones y videojuegos en comparación con los discos mecánicos tradicionales. Al no poseer piezas móviles, proporciona un funcionamiento completamente silencioso, resistencia nativa ante impactos ligeros y un consumo de energía optimizado que ayuda a prolongar la autonomía de la batería en equipos portátiles.
A continuación, se detalla la base de datos técnica e industrial completa basada en las hojas de especificaciones oficiales de hardware de Patriot Memory:
📊 Base de Datos Técnica Completa
💾 Propiedades de Almacenamiento y Factor de Forma
- Código de Parte del Fabricante (SKU): PBE480GS25SSDR.
- Código de Barras Universal (EAN / UPC): 0814914027752.
- Capacidad Comercial: 480 Gigabytes (480 GB).
- Factor de Forma Físico: 2.5 pulgadas con una altura delgada de 7 mm (apto para ultrabooks y bahías estándar de PC).
- Interfaz de Conexión: SATA III a 6 Gb/s (Retrocompatible con SATA II a 3 Gb/s).
- Arquitectura de Memoria Flash: Tecnologías TLC / QLC NAND según lote de producción.
- Controlador Principal (SSD Controller): Realtek RTS5735DLQ / Phison Series 11 (variable según revisión de fábrica).
- Caché DRAM: Sin caché DRAM física (Diseño DRAMless para optimizar costo/beneficio; utiliza caché SLC dinámica para absorber picos de escritura rápida).
⚡ Rendimiento de Transferencia de Datos
- Velocidad de Lectura Secuencial (ATTO / Máxima): Hasta 450 MB/s (ciertas plataformas de prueba reportan picos de hasta 555 MB/s).
- Velocidad de Escritura Secuencial (ATTO / Máxima): Hasta 320 MB/s.
- Rendimiento de Lectura Aleatoria (4K Aligned): Hasta 40,000 IOPS.
- Rendimiento de Escritura Aleatoria (4K Aligned): Hasta 40,000 IOPS.
🔌 Parámetros Eléctricos y Consumo de Energía
- Voltaje de Operación Estándar: 5 V CC (corriente continua).
- Gestión Energética: Tecnología Low Power Management incorporada para reducir el desperdicio eléctrico cuando el equipo se encuentra inactivo.
- Consumo Energético en Reposo (Idle): ~0.195 W.
🛡️ Fiabilidad, Durabilidad y Algoritmos
- Vida Útil Declarada (Resistencia): 200 TBW (Terabytes Escritos garantizados antes de degradación física).
- Tiempo Medio Entre Fallos (MTBF): Más de 2,000,000 de horas de funcionamiento continuo.
- Nivelación de Desgaste: Soporta algoritmos de Static y Dynamic Wear Leveling (distribuye los datos de manera uniforme entre las celdas de memoria para maximizar la vida útil del disco).
- Gestión de Bloques Dañados: Bad Block Management automatizado por firmware.
- Soporte de Comandos: Totalmente compatible con comandos TRIM (mantiene el rendimiento de escritura limpio a lo largo del tiempo) y funciones de compresión Smart Zip.
